엘피다, 삼성전자보다 얇은 D램 양산

일본 최대 반도체 제조사 엘피다메모리가 올해 말부터 30나노미터 초반 D램을 양산할 계획이라고 니혼게이자이신문이 29일(현지시간) 보도했다.

이는 삼성전자(005930)(772,000원 ▲ 27,000 +3.62%)가 지난 7월부터 양산한 30나노 중반 D램보다 얇은 것으로 현재까지 개발된 회로선 중 가장 얇은 것이라고 신문은 전했다. 회로선이 얇아 전력 소비효율도 우수하다는 설명이다.

엘피다는 `더블 패터닝(double patterning)`이란 기술을 개발해 기존 시설을 그대로 활용하면서 신형 D램을 양산할 계획이다. 새로운 자본 투자가 필요없게 됐다는 의미다.

엘피다는 오는 12월 히로시마 공장에 이어 내년말까지 대만 렉스칩 일렉트로닉스 공장에서 신형 D램을 양산할 방침이다. 회사는 수년 내 전체 D램 70%를 30나노 모델로 생산할 계획이다. 또한 신형 D램을 양산하면서 수율이 45% 늘고, 생산 단가는 30% 줄어들 것으로 예상하고 있다.